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KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
 

伯東離子源      精密薄膜控制

伯東離子源蝕刻均勻性

伯東離子源精密光學

伯東離子源MEMS,傳感器和顯示器

考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman 簡介

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,開始研發生產適合工業使用的霍爾離子源和考夫曼離子源

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源
發散光束 >45

KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列

離子源通過加熱燈絲產生離子束,低濃度高能量寬束型離子源
利用柵極控制離子束的濃度和方向, 離子束可選集中,平行,散設

KRI 射頻離子源 Gridded RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長

霍爾離子源 eH 400

霍爾離子源 eH 400
尺寸:直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓: 50-300eV
電流: 5a

霍爾離子源 eh400

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

考夫曼離子源 KDC 75
尺寸: 直徑= 5.5“ 高= 7.9”
放電電壓: 100-1200 eV
電流: 250 mA

考夫曼離子源

KRI 考夫曼離子束中和器

一般使用寬束的工業用離子源,都會使用中和器來達到使用激發電子中和離子的目的。常用來做中和器的像是熱燈絲,電漿橋,或是中空陰極。圖1的架構可適用于有柵極及無柵極的離子源上。若是應用在無柵極的離子源上,中和器稱為陰極中和器。標的物可以是濺鍍的靶材或是要被蝕刻的基材。

KRI 考夫曼離子源 KDC 10

考夫曼型離子源 KDC 系列最小型號的離子源
尺寸:直徑= 1.52“ 高= 4.5”
放電電壓: 100-1200 ev
電流: 10 mA

考夫曼離子源  KDC 10

KRI 考夫曼離子源 KDC 40

考夫曼離子源 KDC 40
尺寸: 直徑= 3.5“ 高= 6.75”
放電電壓: 100-1200 eV
電流: 120 mA

考夫曼離子源 KDC40

霍爾離子源 eH 1000

霍爾離子源 eH 1000
尺寸:直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓: 50-300V
電流: 10A

霍爾離子源

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