KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman 簡介
1926 年在美國出生 |
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KRI 考夫曼離子束中和器
一般使用寬束的工業用離子源,都會使用中和器來達到使用激發電子中和離子的目的。常用來做中和器的像是熱燈絲,電漿橋,或是中空陰極。圖1的架構可適用于有柵極及無柵極的離子源上。若是應用在無柵極的離子源上,中和器稱為陰極中和器。標的物可以是濺鍍的靶材或是要被蝕刻的基材。