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霍爾效應測試儀 ITO 薄膜測試案例
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霍爾效應測試儀 ITO 薄膜測試案例

霍爾效應測試儀 ITO 薄膜測試案例
上海伯東某科研客戶霍爾效應測試案例一

樣品: ITO 氧化銦錫, 標記為 ITO1, ITO2, ITO3
樣品薄膜厚度: 60 - 100 nm
樣品尺寸: 10 * 10 mm
實驗內容: 載流子濃度, 類型, 霍爾遷移率, 方塊電阻
實驗儀器: 上海伯東英國 NanoMagnetics ezHEMS 霍爾效應測試儀

電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 )
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴 )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場強度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵

測試溫度和磁場溫度: 300K RT 1 Tesla
* 在測試開始前, 儀器均經過標準樣品校驗. 所有樣品根據 ASTM 標準.

樣品 ITO1 測試結果:
I-V 測量結果

霍爾效應測試儀 ITO 薄膜
VdP 測量結果
測量頭類型: RT Head;   磁場: 9677G;   厚度: 80nm
霍爾效應測試儀 ITO 薄膜

部分測試結論:
1. 得到的電阻值彼此相容.
2. 所有的IV 曲線都是線性的
3. 所有樣本都是歐姆的,統一的,均勻的.
4. Van der Pauw 測試為了保證準確性, 測試了2次, 測試結果是相同的.
...

* 鑒于信息保密, 更詳細的霍爾效應測試案例歡迎撥打電話咨詢: 021-5046-3511, 021-5046-1322

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