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霍爾離子源 eH 2000
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霍爾離子源 eH 2000

KRI 離子源(KRI Ion Source ) eH 2000 系列:
KRI 離子源 eH 2000 是一款更強大的版本,帶有水冷方式,他具備 eH 1000 所有的性能,而且可以產生更高的離子束功率,適合更高的工藝等級和更大的系統。水冷方式有助于降低襯底溫度,可適用于塑膠襯底。

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數:

型號

eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 5 cm

  - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

4.0'

  - 直徑

5.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

16-45”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

 

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